本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动，所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt％和0.1‑65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述方法实现了工业化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷，改进了主相晶粒界面，调整了晶界相成分及结构，促进了晶界相的再分布，提高了取向烧结磁体的磁性能、热稳定性。本发明还公开了采用所述方法修复得到的磁体。
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来源：北方有色网
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