本发明公开了一种电子元器件用
铜锆合金及其制备方法，合金成分包括：Zr 0.05‑0.4wt％，Mg 0.05‑0.2wt％，Si 0.03‑0.15wt％，
稀土0.01‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明还公开了一种该合金的制备方法，包括熔化、合金化、铸造、热轧、粗轧、时效、精轧、去应力退火和成品处理。本发明的铜锆合金在添加Mg、Si和稀土元素的综合作用影响下，同时兼备高强度、高导电性和优异的弯曲加工性，其制备方法易于工程化生产，且成本低，成品带材抗拉强度不小于560MPa、导电率不小于80％IACS，其产品可用于极大规模集成电路及大电流电子元件、散热部件。
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来源：北方有色网
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