本实用新型公开一种陶瓷覆
铜框架及基于该框架的场效应晶体管，所述陶瓷覆铜框架包括陶瓷基板、位于陶瓷基板上的金属化层以及位于金属化层上的铜层，金属化层通过金属化浆料印刷技术印刷在陶瓷基板上，印刷在陶瓷基板上的金属化层与陶瓷基板通过真空烧结工艺结合，形成缓冲层，铜层通过电镀覆在缓冲层上。本实用新型所述框架兼顾了裸铜框架的高导电性和高散热性能，同时又规避了框架与
芯片之间热失配严重导致的可靠性问题，从而提高了器件的可靠性，降低了失效率。
声明：
“陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1172
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
