本发明涉及
半导体技术领域。步骤一，真空烧结：将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；步骤二，依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；步骤三，金属片蚀刻‑第一金属层蚀刻成型；步骤四，金属片蚀刻‑第二金属层蚀刻成型；步骤五，金属片蚀刻‑第三金属层蚀刻成型；步骤六，焊料蚀刻。本专利通过优化陶瓷基板的结构，
芯片嵌埋在基板中，能够提高芯片的封装密度。
声明：
“3D结构陶瓷基板的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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