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具有显微扩散阻挡层的铜/硅封装材料及其制备方法

1133   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 14:58:02
一种具有显微扩散阻挡层的/硅电子封装材料及其制备方法,该封装材料的硅颗粒表面是由1NM-10ΜM厚度氧化、氮化铝或二者复合构成的扩散阻挡层薄膜,铜组元构成连续基体组织;本发明的方法为首先在硅粉表面涂覆氧化铝薄膜或其前驱体,然后将涂覆后的硅粉在真空、还原气氛或(与碳粉混合后)在氮气中焙烧,表面处理后的硅粉与铜粉经混粉、烧结等工艺获得致密化材料;本发明在铜、硅粉末表面镀覆氧化铝/氮化铝扩散阻挡层薄膜,用扩散阻挡层阻隔铜、硅二组元在高温烧结时的相互扩散和界面反应,从而通过高温烧结得到铜/硅封装材料。
声明:
“具有显微扩散阻挡层的铜/硅封装材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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