本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料,在碳质材料粉体的表面生成原硅酸,高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入
石墨坩埚中,并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中,抽真空并充入氩气保护气,然后加热到1200～1700℃,保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅,得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成,场发射扫描电镜观察其形貌,用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相,纳米线直径为50-200纳米,长度为1-10毫米。
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来源：北方有色网
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