一种IGBT半桥电路，在外壳底板上真空烧结氮化
铝DBC基板，在氮化铝DBC基板上真空烧结IGBT
芯片和FWD芯片；氮化铝DBC基板与主电极引线间用真空烧结的连接桥进行电联接，氮化铝DBC基板与IGBT芯片、FWD芯片及辅助电极引线间用超声压焊
高纯铝丝进行电联接；壳盖扣设在外壳底板上。其优点是：它采用金属全封装外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，其耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想。它体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变，可组合为H桥电路与三相全桥电路。适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变；壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。
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来源：北方有色网
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