本发明提供一种基于铁电p‑i‑n结的无驱动光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括：基底、位于基底上的至少两个接触电极以及p‑i‑n结，所述p‑i‑n结包括层叠的p型半导体二碲化钼、本征半导体
钙钛矿和n型铁电半导体三硒化二铟，其中，一个接触电极与p型半导体二碲化钼接触，另一个接触电极与n型铁电半导体三硒化二铟接触。在该器件中，由于钙钛矿有优异的光电性能，使器件的光吸收更好，表现出来的
光伏效应显著；由于包含了铁电性的三硒化二铟，可以通过栅控的方式来改变三硒化二铟的极化状态，从而非易失地调控器件的短路电流密度。本发明制备的铁电p‑i‑n结可以用作自驱动的光探测器件。
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“基于铁电p-i-n结的光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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