在第一方面中,一种方法包括淀积第一含金属层(16)到沟槽结构中,该第一含金属层(16)接触半导体结构(10)的金属化区域(12)。该方法进一步包括在抗蚀剂中对第一含金属层(16)图案化至少一个开口。该开口应该和沟槽结构对准。在至少一个开口内至少形成衬垫含金属层(20)(优选地通过电镀处理)。随后蚀刻该抗蚀剂(18)和抗蚀剂(18)下面的第一金属层(16)(在实施例中,以第二金属层(20)作为掩模)。该方法包括在蚀刻处理之后将焊料材料(22)流到沟槽中和流到衬垫含金属层(20)上。该结构是受控熔塌
芯片连接(C4)结构,其包括在抗蚀剂图案中形成的至少一个电镀金属层以形成至少一个球限制冶金层。该结构进一步包括没有底切的下金属层。
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来源：北方有色网
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