本发明公开了大面积ABX3型
钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置，所述装置包括一生长单元，所述生长单元包括生长基底、背板基底、U型薄膜；所述生长基底和背板基底相对平行设置，所述U型薄膜设置于其间，在中间形成一面开口三面密封的生长空腔。将钙钛矿生长溶液并注入上述装置中，通过调控钙钛矿晶体的生长温度和不断更换新鲜的生长溶液，制备大面积钙钛矿晶体薄膜。相对于现有技术，本发明使用所述装置生长所得的钙钛矿晶体薄膜面积大，厚度薄，缺陷少，稳定性好，可以在基底上原位生长钙钛矿晶体薄膜，接触性好，方便于器件的制备，所得的晶体薄膜可直接用于太阳电池、光探测器、光发射二极管、激光器及光催化等光电和发光器件。
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“大面积ABX3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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