本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr
2多晶膜质量以降低CsPbIBr
2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr
2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr
2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在
钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr
2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。
声明：
“双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1044
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
