一种钨合金表面高熵合金层的制备方法，属于金属材料表面改性领域，可解决钨应用于磁约束核聚变装置面向等离子体材料时抗氧化性能低、抗辐射能力不足等问题。采用双层辉光等离子体表面冶金技术，改变渗镀温度、保温时间及源极放置方式在钨合金表面制备均匀、致密的Ta‑W‑V‑Cr高熵合金复合渗镀层。在纯钛板表面采用排列组合法插满Ta、W、V和Cr金属棒，作为制备高熵合金层源极。在钨基材料表面形成的高熵合金渗层由浓度呈梯度变化的合金扩散层和沉积层组成，与基体有良好结合力，具有良好热物理性能、热力学性能和抗粒子辐照性能。本发明适用于磁约束核聚变装置的面向等离子体材料，为受控核聚变装置第一壁的选择提供新的材料方案。
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来源：北方有色网
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