本发明属于
粉末冶金材料制备技术领域，提供一种含硅合金靶材及其制备方法。其靶材成分中硅含量为0<Si(at％)≤80％。本发明采用纯度为99.5％～99.95％的铬粉与纯度为99.9％～99.999％的纯硅粉机械合金化混合，或采用铬粉与CrSi合金粉末混合制备合金粉末，将合金粉末冷等静压后装填入包套内，经在加热状态下抽真空脱气并封焊之后进行热等静压处理、机加工等工序，获得致密度高、显微组织均匀的CrSi靶材。本发明制备的CrSi靶材，可用于电子、半导体、集成电路、防腐蚀、高耐磨性等镀膜领域，制备具有低TCR高稳定性、高方阻的电阻薄膜，以及具有良好耐腐蚀性能、高硬度及良好耐磨性能的涂层。
声明：
“含硅合金靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
850
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
