本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氯化镝(Dy2O3)作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氯化镝8％～15％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氯化镝作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。
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“高性能氯化镝复合氮化硅陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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