本发明公开了一种三维多孔
铜硅碳复合一体化电极及其制备方法，铜硅简单的球磨方法形成铜硅合金，结合有机膜的非溶剂致相分离法制备前驱体，通过
粉末冶金的固相烧结法制备出具有一定韧性及机械强度的三维多孔铜硅膜，利用化学气相沉积法生长
石墨烯和
碳纳米管，通过控制温度，气体通入时间及乙炔的流量来控制石墨烯和碳纳米管的生长，最终制得铜硅碳复合一体化电极。三维多孔结构可以为循环过程中硅的体积膨胀提供充足的空间，而石墨烯和碳纳米管有较大的比表面积，可以形成稳定的SEI膜，可以防止电极材料的粉化及破碎，最终使得其保持稳定的
电化学循环，具有广泛的实际应用意义。
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“三维多孔铜硅碳复合一体化电极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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