本发明公开了工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法：(a)选取两个同批次同型号的坩埚A、坩埚B，测定其质量为m
A1、m
B1；(b)称取M克真空熔炼产物，置于坩埚A中，加水润湿，依次加入1～3ml密度为1.84g/ml的硫酸、8ml密度为1.15g/ml的氢氟酸、5ml密度为1.42g/ml的硝酸，对坩埚A低温加热蒸发直至内部干燥；(c)将坩埚A、坩埚B共同置于高温炉内，在850～1000℃的高温下灼烧30～40min，将坩埚A、坩埚B共同冷却至室温，称取此时重量分别记为m
A2、m
B2；(d)计算真空熔炼产物中硅的百分含量：Si(％)＝[M‑(m
A2‑m
A1)×S‑(m
B2‑m
B1)]÷M×100％。本发明用以解决现有技术中不便直接对工业硅的硅纯度进行测定的问题，实现简单、快速的对冶金行业中工业硅纯度进行检测的目的。
声明：
“工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1084
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
