本发明公开了一种
多晶硅厚膜的制备方法,该方法将普通的冶金硅经酸洗除杂后,重掺杂硼或者
铝形成p型导电硅,接着采用铸锭切片工艺得到p型导电硅衬底,然后在该衬底上沉积二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、
氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlNx)等薄膜作为介质阻挡层,对该介质阻挡层进行图形化开孔,该孔穿透介质阻挡层与p型导电硅衬底相连通,最后在介质阻挡层表面在高温条件下采用化学气相沉积技术沉积多晶硅厚膜,所沉积的多晶硅厚膜在开孔处与p型导电硅衬底形成电接触。与现有技术相比,利用本发明的方法能够得到低成本、大面积、高质量的多晶硅厚膜,可以直接用于现有晶体硅
太阳能电池制造生产线,具有重要的应用价值。
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“多晶硅厚膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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