本发明公开了一种具有高热稳定性和低TCR的富硅Cr-Si基电阻膜及其制备方法，其元素组成及其质量百分比含量为43wt.%Cr,，55wt.%Si，2wt.%Mo；通过
粉末冶金法制备Cr-Si-Mo靶材，采用磁控溅射法制备富硅Cr-Si基电阻膜：本底真空为3×10-3Pa，溅射真空为（0.65～5）×10-1Pa，溅射电压为250～600V，溅射电流为100～300mA,Ar气流量为15～35sccm，膜沉积时间为1～3h；于500℃下N2中退火2h。本发明的电阻温度系数为-8～-25ppm/℃；按GJB1929-94标准进行寿命实验和高温贮存实验后，电阻变化率均满足ΔR/R≤1%，特别适用于精密仪器和高性能集成电路。
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“具有高热稳定性和低TCR的富硅Cr-Si基电阻膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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