一种用于最后段制程(FBEOL)半导体器件形成的方法,包括:在半导体晶片(106)的上层中形成终端
铜衬垫(104),在所述终端铜衬垫之上形成绝缘叠层(114),以及在所述绝缘叠层的一部分内构图并开口终端过孔(116)以留下保护所述终端铜衬垫的所述绝缘叠层的底部覆层(118)。在所述绝缘叠层的顶部之上形成并构图有机钝化层(126),并去除在所述终端铜衬垫之上的所述底部覆层(118)。在所述有机钝化层和终端铜衬垫之上淀积球限制冶金(BLM)叠层(128),以及在所述BLM叠层的构图的部分上形成焊料球连接(108)。
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“用于去除半导体器件中的铝终端衬垫材料的方法和结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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