本发明公布了一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，属于生物冶金技术领域。嗜酸铁硫氧化细菌在添加0.01-0.2g/L草酸，光照条件下浸出半导体硫化矿物。草酸能够与氧化性光生空穴反应，增加光生电子的利用率，进而显著增加半导体硫化矿物浸出率。光强6000?Lux-8500?Lux添加0.01-0.2g/L草酸的浸出结果与光强0?Lux?不添加草酸的浸出结果比较，其浸出率增加了30.4-42.7%，与光强6000?Lux-8500?Lux不添加草酸的浸出结果比较，其浸出率增加了5.3-15.3%。本发明的方法能够提高光催化效率，从而显著提高半导体硫化矿物浸出率，使得半导体硫化矿物更具有综合利用价值以及实现半导体硫化矿物作为光催化剂在生物浸矿领域上的应用具有重大意义。
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来源：北方有色网
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