本发明公开了一种双室单联真空循环脱气炉及太阳能级
多晶硅的制备,该双室单联真空循环脱气炉包括:上下设置的上真空室和下真空室,中间通过连接管连接;其制备方法包括:1)将冶金硅料放入下真空室,加热形成硅液,同时对上真空室加热;2)下真空室的硅液通过连接管连接到上真空室;3)对上下真空室分别进行抽真空;同时,对连接管中通入气体;4)通过控制上下真空室之间的压力差和对连接管中通入气体,使硅液在上下真空室间循环,得到太阳能级多晶硅原料。本发明能生产出成份均匀、硼磷含量较低的太阳能级多晶硅原料,并能量产,而且该太阳能级多晶硅原料能直接进行铸锭或拉单晶。
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“双室单联真空循环脱气炉及太阳能级多晶硅的制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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