本发明提供具有改进的焊接凸块连接的结构以及制备此类结构的方法。方法包括在电介质层中形成上布线层以及在该上布线层之上沉积一个或更多个电介质层。该方法还包括在一个或更多个电介质层中形成多个延伸到上布线层的离散沟槽。该方法还包括将球限冶金层或凸块下冶金层沉积于多个离散沟槽中以形成与上布线层接触的离散金属岛状体。焊料凸块被形成为与多个离散的金属岛状体电连接。
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“改善半导体器件中的焊料凸块连接的结构和方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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