公开了基于改善的设计和材料组合以提供改善的每I/O载流量的微电子结构。本发明的优选实施方式使用以下一个或多个的组合:(1)下凸块冶金,通过增大通道直径或者通过具有多个BLM下方的通道开口,增强每I/O的电流;(2)较厚的下凸块冶金,其中良好导体冶金的使用与增加的厚度一起使用;(3)对于电源和/或地通道连接,采用凸块冶金下方较大的通道直径、较大的焊料凸块直径和/或其它电流增强特征;(4)在无Pb合金中采用添加剂,以改变微结构,从而最小化焊料中或金属间转变处的原子迁移。
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来源：北方有色网
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