本发明涉及到一种由冶金级硅制造用于太阳电 池的太阳电池级的单晶硅球的方法。该方法包括将 冶金级硅粒子筛分到所需范围及在空气中将粒子外 表面进行氧化从而在其上形成氧化表面层。然后粒 子在空气中被加热并使在表面层内的硅熔化从而使 杂质移向表面层。然后将其中的表面层和杂质腐蚀 掉 对剩下的粒子再次重复该循环直到硅纯度达到 所需级别。可采用一中间粒化(shot)步骤来产生用 于重复循环中的加工原料的基本上直径均匀的球体。
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“利用空气环境用冶金级硅粒子生产半导体级硅球产品” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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