本发明的一种实施方式提供一种异质结
太阳能电池。所述太阳能
电池包括:冶金级硅(MG-Si)衬底;位于冶金级硅(MG-Si)衬底之上的重掺杂晶体硅层;位于重掺杂晶体硅层之上的轻掺杂晶体硅层;位于MG-Si衬底背侧上的背侧欧姆接触层;位于重掺杂晶体硅层之上的钝化层;位于钝化层之上的重掺杂非晶硅(a-Si)层;位于重掺杂a-Si层之上的透明导电氧化物(TCO)层;以及位于TCO层之上的前欧姆接触电极。
声明：
“在冶金级Si衬底上基于外延晶体硅薄膜的太阳能异质结电池设计” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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