本发明公开的金属硅的物理提纯方法,步骤为:将经过清洁的金属硅放入退火炉中,加热至1100～1300℃,保温10～50分钟,以0.1～2℃每分钟的速率降温至700～1000℃,保温30～150分钟,以0.1～2℃每分钟的速率降温至250～350℃,之后随炉冷却,浸泡在盐酸和氢氟酸等体积混合溶液中1～5个小时,即可。本发明利用了磷吸杂原理,在金属硅表面形成磷吸杂层,对金属硅中的金属进行吸杂处理。工艺流程简单,低能耗,低成本,无污染排放,生产效率高,产率高,通过此方法提纯可以得到纯度为4～5N的金属硅材料,可以作为
太阳能电池用硅材料的原料。
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来源：北方有色网
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