本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成
铜金属互连沟槽或通孔；采用
湿法冶金工艺在所述铜金属互连沟槽或通孔的侧壁及底部形成CuMn合金种子层；在所述铜金属互连沟槽或通孔内填充铜金属，以形成铜金属互连结构。根据本发明，可以使形成的CuMn合金种子层不发生悬垂突出现象，以利于后续电镀铜金属的实施。
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来源：北方有色网
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