本发明涉及一种微波等离子体辅助的
多晶硅提纯方法，将硅料放置于真空中频感应炉的
石墨坩埚后，将炉体抽真空至压力≤1Pa；开启中频电源，以10～100℃/min的速率升温至1500～1650℃，加热直至硅料完全熔化；开启微波源，通入反应气体，进行反应熔炼；熔炼结束后，进行浇铸，得到纯度＞99.999％的高纯多晶硅。本发明结合了真空中频精炼和微波等离子体反应加热进行除杂，反应条件温和，提纯效果明显，降低了能耗，有利于工业化生产。
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来源：北方有色网
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