本发明公开了磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜，涉及无机化合物功能薄膜制备技术领域及磁控溅射技术领域。其特征在于是通过一种特殊设计的复合靶材，利用普通磁控溅射及后退火处理得到成分分布均匀的、符合化学计量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工艺参数为：溅射功率20W，工作气压0.7Pa，溅射时间60-120min，快速退火时间1-5min，常规退火时间30-120min。本发明实现了TiCoSb材料的薄膜化，为对其热电和光电性能的进一步研究及对其在薄膜热电、光电器件领域的应用有相当积极的作用。
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来源：北方有色网
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