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本发明提出一种用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统，能够使半导体激光器腔面失效分析更为准确、可靠，具有产业实际意义。该综合测试系统特别包括分光组件、温度控制模块和多种光特性测试模块，温度控制模块用于调节待测半导体激光器的温度，所述多种光特性测试模块包括近场分布测试模块、远场分布测试模块、功率测试模块和光谱成像模块，分光组件将待测半导体激光器输出的光分出多路用以设置不同的光特性测试模块；计算机接收处理所述温度测试模块和多种光特性测试模块输出的测试数据，并与温度测试模块、温度控制模块和多种光特性测试模块连接。
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本发明涉及光通信领域,本发明公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的装置,包括处理器CPU、存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口,所述处理器CPU分别与所述存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口连接;所述处理器CPU用于根据光模块的寿命参数和运行参数进行判断,并以判断结果为依据预测出光模块的寿命;所述存储器用于保存光模块的寿命参数和运行参数;所述光模块状态采集单元用于采集光模块的运行参数;所述光模块通讯接口用于与外部管理端的通讯。本发明还公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的方法,处理器CPU根据光模块的寿命参数和运行参数,计算出光模块当前所处的寿命阶段,作为是否需要更换光模块的依据,有效预测出光模块的寿命,同时存储的光模块运行参数可作失效原因的统计分析使用。
本发明公开了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，本发明开发了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，通过对不同粘接角度的粘接试件进行人工加速老化处理，通过拉伸破坏试验得到不同老化周期的粘接结构的失效应力相关数据，通过有限元建模分析结合等效应力关系式建立失效准则，对不同老化周期的胶粘剂进行的化学特性分析得到化学特性变化规律，计算筛选出与粘接结构失效准则处于最佳重合状态的化学特性及其组合形式，应用典型相关分析方法，最终获得通过分析胶粘剂化学特性就能得到粘接结构失效准则的预测方法。
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本发明提供一种复合材料结构失效预测分析方法，结合湿热应变的影响，建立了表述各向异性复合材料在湿热环境影响下的应力应变关系的本构方程。同时，结合渐近损伤分析方法，在应力分析模型、失效准则和材料退化模型三个方面均引入了湿热效应对于材料刚度和强度等参数的影响，并编译了UMAT子程序并打包嵌入到有限元软件中，最终建立了可用于湿热环境下复合材料失效分析的更为完善的渐进损伤模型。本发明与现有的各类复合材料结构失效渐近损伤分析方法相比，考虑了湿热效应对于各向异性复合材料失效行为的影响，能够准确的表征材料在湿热环境下的损伤过程，适用于温度和湿度等条件更加复杂的情况下复合材料结构损伤过程的模拟和强度的预测。
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本申请公开了一种芯片的地址测试方法及芯片的失效分析方法。该芯片包括沿字线和位线的方向排列的多个比特位，该方法包括：对芯片中的部分比特位进行标记以形成标记点，并获得标记点的电性地址和物理地址；对芯片进行失效测试以获得芯片中双比特位失效点的电性地址，双比特位失效点由在字线或位线的方向上相连的两个失效的比特位组成，并将双比特位失效点中两个比特位的电性地址的差值的绝对值作为双比特位失效点的电性地址差值；根据双比特位失效点的电性地址差值获取芯片中各比特位的电性地址的排列范围；将芯片中各比特位的电性地址的排列范围与标记点的电性地址进行对照。该方法能够准确分析出芯片中物理地址和电性地址的对应关系。
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本发明提供一种失效分析结构的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一导电插塞及第二金属层，所述第二金属层通过第一导电插塞与第一金属层依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层通过第二导电插塞与第二金属层相连。本发明还提供一种失效分析结构及其失效分析方法。本发明失效分析结构和失效分析方法仅需要暴露出测试金属层，不会损害第二金属层，提高失效分析结果的准确性。
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本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法,所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件,以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件,避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图偏差,达到准确定位栅氧化层的失效位置的目的。
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本发明公开了一种用于物理失效分析的改进型可寻址测试芯片,包括测试单元、周围地址译码电路、信号选择电路以及用于物理失效分析的PAD阵列。本发明还公开了一种用于物理失效分析的改进型可寻址测试芯片的制作方法,包括如下步骤:(1)测试单元版图设计;(2)信号选择电路设计;(3)周围地址译码电路设计;(4)用于物理失效分析的PAD阵列设计;(5)测试芯片整合;(6)测试芯片生产;(7)测试芯片测量。本发明测试芯片通过采用类似记忆体芯片的周围译码电路,并引入用于物理失效分析的PAD阵列,提高了芯片的面积利用率,既可以进行电学失效分析,也可以进行物理失效分析。
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本发明公开的是一种基于流固耦合分析的冲蚀破坏失效定量预测方法,包括腐蚀产物保护膜特性分析和流体作用下失效预测分析两个过程;根据管道实际工况,运用流体力学相似理论,确定试验测试的管件规格、试验工况及流体介质,应用电化学测试方法进行冲蚀破坏的瞬态特性测试;建立流固耦合模型,初步设定腐蚀产物保护膜特性参数值,应用有限元分析软件进行流固耦合仿真计算,结合试验研究,修正腐蚀产物保护膜特性参数值;针对实际管道系统典型管件进行流固耦合仿真计算,实现管道系统冲蚀破坏失效定量预测,可科学、准确地预测出整个管道系统失效危险点,为压力管道系统的安全保障技术提供理论支撑。
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本发明公开了一种基于振动疲劳理论分析惯性测量系统失效模式的方法：首先利用惯性器件工作时内部存在的振动源，通过对其振动频谱的检测，获得振动能量传递的全频谱信息，结合内部各组成的结构模态，可以观测惯性器件内部各组成的工作微观状态，准确诊断惯性器件各组成的故障发生点。本发明表征直观，操作简单，检测精度高，有效实现惯性器件整机级故障预估和定位。本发明适用于任何含有振动激励的系统失效模式的评估。
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本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。
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本发明提供了一种半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法，通过晶圆键合结构的顶部的测试焊盘和外接焊盘对至少位于所述晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的每个晶圆均进行电性测试，以检测出失效的晶圆；以及，对所述失效的晶圆进行失效分析，以定位出晶圆键合结构中的失效的晶圆中的失效点，使得至少能够测试出晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的晶圆是否失效以及测试出失效的晶圆中的失效点，进而使得能够快速且准确的定位多片晶圆键合的结构中的失效晶圆以及失效点，提高了失效分析的效率和成功率。
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一种水汽系统测氢电导率用树脂失效点分析方法，将一个可以沿树脂装填方向等间隔取样的离子交换柱接入氢电导率测试回路；配制与现场运行水中离子浓度相当的溶液或氨溶液，检测实验柱出口电导率DDc、标准氢电导测量装置出口电导率DDs及离子交换柱某取样口电导率DDq；根据DDc、DDs随ξ变化曲线确定离子交换柱树脂开始穿透时阳树脂的失效率ξ0和穿透至DDc出现极小值点时阳树脂的失效率ξ1。一种火力发电厂水汽系统测氢电导率用树脂失效点分析装置，将试验用水连接至离子交换柱和标准氢电导测量装置上部进水口；在离子交换柱出口设置在线电导率表，离子交换柱各取样口设置可移动式电导率表；试验用水和离子交换柱、在线电导率表以及标准氢电导测量装置分别构成氢电导率测试回路。
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本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统，该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座，且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中，芯片载台，用于承载被测芯片；比较模块，与可调电阻模块连接，用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节，以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰，改善EBAC的成像效果，使得在对被测芯片进行失效分析时，可以快速且准确地定位失效点。
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本发明公开了一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法。本发明通过拆分特性测试的失效结构生成多个虚拟缺陷,并合成检测缺陷结果的方法,实现了自动自动扫描电子显微镜对失效位置的寻找确认和分析。本发明可以避免对硅片的破坏性分析,提高分析效率和成功率,同时实现对检测程序的实时反馈,提高程序优化的效率和准确率。本发明适用于半导体工艺中BEOL测试芯片在线失效分析方法。
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本发明公开了用于集成电路电性失效分析的芯片测控系统及测试方法，该系统实现了不同封装形式的待测失效芯片与光电检测仪之间灵活可靠的光信号耦合，并且通过上位机、失效芯片装卡组件和失效芯片测控组件之间的交互为待测失效芯片提供了进入并保持特定失效状态的触发手段；其次，通过对待测失效芯片的失效表征工作电流进行连续采样和实时检测，确保了对待测失效芯片失效态的识别和监控。最后，通过环境变量传感模块实现了对待测失效芯片检测环境的实时监测。
本发明涉及车辆失效分析系统、车辆失效分析设备及车辆失效分析方法。一种车辆失效分析系统(1),用于装有多个控制系统的车辆,每个控制系统由一个或多个部件形成,所述车辆失效分析系统包括:故障系统识别单元(2D),其从多个控制系统中识别故障控制系统;故障部件识别单元(3B),其根据所识别的控制系统,从一个或多个部件中识别故障部件。
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本发明提供了一种测试结构，包括蛇形金属线和两个相对交错设置的测试梳状结构，每个测试梳状结构分成至少两个子梳状结构，且每个所述测试梳状结构中的相邻两个所述子梳状结构之间具有间隔，且每个所述测试梳状结构中的至少一个所述间隔处的所述蛇形金属线的至少一个拐弯部位上引出有焊盘。即通过上述方法将所述测试结构分成了若干个小面积的测试结构，能够解决EBIRCH不能定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点的问题；同时结合电阻比例法，以使得EBIRCH能轻易定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点，从而找到失效的根本原因，对解决工艺问题以及促进研发进度能有很大的帮助。
本发明提供一种针对待测芯片设计专用载板、测试设备、芯片电性失效分析的方法，所述方法包括：针对待测芯片设计专用载板，所述载板包括位于待测芯片容纳区域的焊盘阵列、用于与测试机台进行信号传输的针脚阵列，以及连接所述针脚阵列和焊盘阵列的金属连线；将待测芯片采用SMT技术贴装于所述载板上。本发明提供的芯片电性失效分析的方法和用于芯片电性失效分析的专用载板以及测试设备能够方便快捷的完成硬件准备，且能够容易的实现大管脚数目芯片测试的芯片失效分析。
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本发明涉及锂电池制造领域，具体涉及一种锂电池短路失效分析方法，其包括如下步骤：提供一粉尘以及与粉尘相对应的分析参数，其中，分析参数包括粉尘的种类和粒径；将正极极片、隔膜和负极极片依次叠放，其中，粉尘设置在正极极片与隔膜之间，或者，粉尘设置在负极极片与隔膜之间；对正极极片和负极极片施加压力以压紧正极极片和负极极片；对正极极片和负极极片提供电压；调整压力和/或电压直到正极极片和负极极片短路；记录在该分析参数下粉尘短路时对应的压力和电压。通过重复上述步骤，则可以得出不同分析参数的粉尘在一定条件下短路的数据，由此，锂电池在安全验证中短路后，通过查询比对所记录的数据，则可以快速的查出是何种粉尘。
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本发明涉及一种软包锂电池微孔失效原因的分析检测方法，该方法具体实施步骤如下：首先将ALF铝塑膜中含有微孔的区域剪下，将其浸泡在电解液中，然后置于10℃～150℃的温度环境下存储1‑60天；当ALF铝塑膜中的聚丙烯(PP)层、尼龙层等不同材料与铝层分离后，将铝层取出；再将浸泡过的铝层置于显微镜下，观察微孔是向尼龙层方向变形，即判定是由冲头颗粒异物所致；还是向PP层方向变形，即判定制造过程中受外力影响；或者是不变形，即判定由冲壳变形拉伸所造成，进而确定该铝层微孔产生的原因，以调整锂电池生产工艺，改变不良生产环境和条件。本发明方法设计合理，操作简单，分析检测准确，可靠性高，成本低、效益高，应用效果非常显著。
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本实用新型涉及检测装置技术领域，尤其涉及电池能量失效模式与效应分析检测装置，包括：安全门、干粉喷头、排气扇；所述干粉喷头固定设置在检测单元的内壁上，且干粉喷头通过管道与干粉储存罐相连接；所述排气扇设置在检测单元的内壁上，且排气扇与控制器通过电性方式相连接；所述液压油缸设置在固定板上，且液压油缸与液压油泵站通过油管相连接；所述烟雾感应器固定设置在固定板上，且烟雾感应器与控制器通过电性方式相连接。本实用新型通过结构上的改进，具有结构简单，性能稳定可靠，分析检测效率高，使用安全性高的优点，从而有效的解决了现有装置中存在的问题和不足。
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本发明公开一种机械结构件微结构损伤失效检测分析方法，该方法包括以下步骤：步骤一、缺陷检测：将待检测机械结构件放置在电子加速器的靶头前照射，用探测器对待检测机械结构件进行探测；步骤二、缺陷定位：两个探测器按预设角度接收待检测机械结构件湮灭放出511keV光子，并两个能谱通过三维合成云图，通过云图展示受检机械结构件的缺陷位置；步骤三、S参数计算：光谱的定性分析图，即得到可反映材料劣化信息的S参数；步骤四、缺陷情况分析：对于有缺陷的待检测机械结构件，由于电子的动量小，造成的多普勒展宽小，得到的S参数大。本发明具有根据所放出的γ射线强度，评估材料的劣化情形的特点。
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本发明提供刀具失效过程实时检测及优化数据分析系统，包括监测模块和失效分析模块；所述监测模块，用于实时获取刀具工作过程中刀具的纹理特征值和温度特征值；所述失效分析模块，用于基于已训练的刀具失效模型对所述纹理特征值和温度特征值进行处理，得到刀具失效状态。通过测试和提取刀具红外信号特征样本，断精度可达到80％以上，有效解决了刀具工作状态难以实时监测与诊断的技术难题，对提高刀具的工作效率以及节能降耗具有非常重要的意义。
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本发明公开了引入内检测数据的地震作用下腐蚀管道失效概率分析方法，对不同检测时间下所获得的管道内检测数据进行特征匹配；基于特征匹配结果，分别在轴向、周向和径向上建立独立的管道腐蚀随机增长模型；通过伽玛分布联立三个管道腐蚀随机增长模型，得到3D依赖的腐蚀随机增长模型，嵌入贝叶斯推断中，再通过MCMC模拟技术对贝叶斯推断进行更新，得到更新的3D腐蚀随机增长模型，建立等效地震作用下的腐蚀管道失效概率模型，结合失效条件，评估腐蚀管道的失效概率。本发明可解决现有技术仅从径向上估计腐蚀缺陷增长的问题，实现综合考虑管道腐蚀在三维方向的增长，以提高预测准确性的目的。
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一种用于半导体器件失效分析的检测方法,包括:利用聚焦离子束,对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削,以改变源/漏区的表面性状;利用腐蚀处理溶液,对所述半导体器件的剖面进行腐蚀,以显露出源/漏区的结剖面形貌;利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料,观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合,获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌,提供判断器件是否失效的依据。
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本发明属于电子产品失效分析领域。本发明提供了一种汽车车窗开关失效的检测分析方法，包括以下步骤：A、对失效的汽车车窗开关样品进行失效定位，通过外观检查和电学测试，寻找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析与排查失效原因：对步骤B中的可能原因依次进行验证，以确定出具体的车窗开关失效原因；D、模拟重现失效现象，验证失效机理。本发明方法步骤简单清晰，能有效找出电子产品失效的多种原因；本发明方法中使用了“穷举法”使得引起电子产品失效的原因尽可能多地被查找出来；本发明方法中通过模拟重现失效现象以提高失效原因的真实性和可靠性，极大地减少了分析出错。
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本发明公开了一种覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法，所述制备方法包括：提供待测的覆晶芯片，包括封装基底与制备于封装基底上的裸片，裸片的外部覆盖有塑封体，裸片与封装基底之间连接有金凸块，封装基底的底部焊接有锡球；研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背；将裸片的背面结合到一玻璃基板上，玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效分析检测样品的制备方法，通过研磨掉裸片的背面的塑封体，再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析，不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片，从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。
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本发明公开了一种针对化学发光免疫分析仪上反光杯失效的检测系统。涉及使用到反光杯的化学发光免疫分析仪设备，属于体外诊断器械领域。该检测系统包含光源模块，检测光路模块以及上位机系统共三部分。光源模块和检测光路模块连接为一体，和化学发光免疫分析仪连接。通过上位机系统，实现对反光杯失效进行检测和判断。本发明有益效果：光源模块通过光强控制单元可调节光强大小，同时光源模块带有光强检测与反馈单元，以此保证光源光强输出的稳定。反光杯的反光面做鳞片化调整，增加了光线在反光面上的反射次数，保证了检测的可靠性；其次，操作方法简单，按照操作流程，就可及时且有效的判断反光杯失效问题。
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本发明提供了一种静态存储器的在线失效分析方法和在线电子束检测设备，包括：将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中；将晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中；利用在线电子束检测设备对接触孔进行扫描并获得静态存储器中接触孔的图像信息；根据接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔；根据产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的探针；在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的产生缺陷的接触孔相接触，并进行电性能检测；根据产生缺陷的接触孔在静态存储器单元中的功能，在线电子束检测设备将探针进行组合来检测功能并进行失效分析；检测到功能失效，则产生缺陷的接触孔是导致静态存储器失效的原因。
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