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本发明公开了一种BGA封装焊接失效的顶切分析法，具体包括以下几个步骤：利用红墨水法结合切片分析法判断IC的焊接效果是否有问题以及断裂处在何处，首先使用红墨水的方法，将有裂痕的焊点，全部浸入红墨水，以判定裂痕产生的时间，然后利用切片分析法将IC(或PCB板)顶层的塑封胶及部分铜基板层去掉；对剩下的部分经过处理后，可得到直接目视的各焊点效果图，由此来判定IC的焊接效果是否有问题，断裂处在何处；本方分析方法是一种比较简单,经济,省时的一种分析方法，整个分析过程不会对分析点有物理及化学的损伤，能够完整的,精准准确的定位问题点。当然，如需要进一步对不良品进行其它分析，同一样品可进一步再次分析。
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本实用新型公开一种发光二极管失效分析解剖装置，包括操作平台、调温加热台及体视显微镜；操作平台设置加热板，该加热板与调温加热台电连接，加热板加热发光二极管表面封装胶体；操作平台置于体视显微镜的视场范围中。本实用新型可以减少损伤LED芯片，提高失效异常分析的准确性，同时提高LED芯片解剖效率。
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本发明实施例公开了一种分析油层套管失效的方法和装置，属于非常规油气资源开发完井工程安全技术领域。所述方法包括：获取目标油气井所处位置的预设范围内不同深度地层的地质参数和工程参数，根据地质参数和工程参数，确定目标油气井的油层套管的风险高发区域的信息，根据地质参数、工程参数和目标油气井的油层套管的风险高发区域的信息，获取油层套管风险高发区域所属地层在压裂过程中的地应力动态变化和岩层变形状况，基于获取到的地应力动态变化和岩层变形状况，确定油层套管变形的产状。采用本发明，可以提高对采用大型分段体积压裂条件下油层套管失效进行分析的准确性。
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本发明公开了一种用于芯片失效分析的图像采集方法及系统。该方法包括：根据金相显微镜（OM）或扫描电镜(SEM)机台提供的通信接口和相关的编程接口，编写上位机应用程序实现：控制金相显微镜机台/扫描电镜机台载物台上的芯片按照用户设置的参数移动，并在其移动过程控制金相显微镜机台的相机对该芯片的不同部位进行持续拍摄、自动保存拍摄所得的图像。通过本发明提供的技术方案能够实现采用金相显微镜机台/扫描电镜机台对其载物台上的芯片的不同位置进行自动、持续拍摄并保存相关图像，实现对失效芯片的大范围、高效率地图像采集。
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本实用新型公开了一种半导体失效分析探针台用摄像头安装装置，包括支架(1)和侧边摄像头(3)，侧边摄像头通过支架装在探针台机架(2)上，使侧边摄像头倾斜位于垂直摄像头(21)旁并面向探针；支架包括固定杆(11)、横向调节座(12)、纵向调节座(13)和连接座(14)；固定杆一端与横向调节座连接，另一端与探针台机架连接；纵向调节座一端可移动式装在横向调节座上，连接座可移动式装在纵向调节座上，纵向调节座与连接座的移动方向垂直；侧边摄像头可转动式装在连接座上。本实用新型能扩大摄像头对探针的观察视角，确保探针的正常使用，既能提高半导体芯片失效分析的准确性，又能防止探针扎伤半导体芯片。
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本发明属于航空复合材料技术领域，具体涉及一种基于跨尺度力学的复合材料轴结构宏‑细观失效模式分析方法。方法涉及主要包括三部分：其一，计算宏观力学下轴结构在扭转载荷作用下应力响应，识别结构危险位置并将危险位置应力结果转化为沿连续纤维方向与垂直于连续纤维方向的应力；其二，基于细观力学方法确立复合材料的失效临界值即失效包线，并划分失效模式区域；其三，将宏观力学计算并转化后的沿连续纤维方向与垂直于连续纤维方向的应力作为载荷施加在代表体积元(RVE)模型上，并将其置于失效包线中，最终确定失效模式。本方法可使连续纤维增强金属基复合材料轴结构失效模式判定更精细、更准确，从而为结构设计与验证提供指导。
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本发明涉及界面应力应变模拟领域，特别公开了一种涉及氧化层动态生长的涂层失效分析方法，通过接收模拟自变量，所述模拟自变量包括积分点坐标、温度及热暴露时间；根据所述模拟自变量，通过预设的氧化层厚度‑温度‑热暴露时间函数，确定目标氧化层厚度；将所述目标氧化层厚度输入受试热障涂层的有限元模型中，使所述有限元模型中的氧化层根据所述目标氧化层厚度沿界面法线方向生长，并结合预设的边界条件输出对应的膨胀应力应变场数据；根据所述模拟自变量及所述边界条件确定热不匹配应力应变场数据；根据所述膨胀应力应变场数据及所述热不匹配应力应变场数据确定涂层损伤失效状态。本发明实现界面非均匀氧化生长动态模拟，从而提升了准确度。
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本发明涉及一种芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。
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本发明提供了一种集成电路芯片的失效分析方法，在芯片中定位需要做电阻的两端布线，找到需要做电阻的目标位置中的一端，采用聚焦离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；找到需要做电阻的目标位置中的另一端，采用离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；通过聚焦离子束对两个目标位置之间的区域进行刻蚀，使得两个目标位置的露出金属之间区域形成一个沟道；用金属的气相前驱体以气相沉积的方式在所述沟道上沉积一条连接两端金属且与目标电阻阻值相同的金属线。本发明还提供了一套便于执行该方法的集成电路芯片的失效分析的系统。
本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。
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本实用新型属于电力电子器件技术领域，涉及一种便于IGBT模块失效分析的拆解平台，包括平台框架，所述平台框架的顶部安装有千斤顶，所述平台框架的底部放置IGBT模块；所述IGBT模块的底板的四周固定有安装支架，所述安装支架的上方固定有安装板，所述安装板位于千斤顶的下方；所述IGBT模块的主电极、辅助电极均设置有电极保护块；通过引入千斤顶，利用杠杆原理，千斤顶通过安装板将压力传递到底板实现外壳与底板的完全分离，克服现有拆解过程中存在的效率低、人工投入成本大、二次损伤风险等问题，实现IGBT模块的快速、简洁拆装，为IGBT模块失效分析提供有力支撑。
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本公开提供一种具有多个失效模式的飞机机构的可靠性分析方法及装置。该方法根据初始概率密度函数抽取N个样本点，并根据中间抽样密度函数和N个样本点抽取N个新的样本点；确定各个失效模式在N个新样本点处的N个响应值，并判断各个失效模式的响应值中是否存在至少预设数量个响应值小于预设值；对于响应值中存在预设数量个响应值小于预设值的失效模式，确定其失效概率；并根据初始抽样密度函数和未确定失效概率的失效模式建立新的中间抽样密度函数，并再次进行抽样以及确定响应值，直至确定所有失效模式的失效概率。本公开能够确定多个失效模式中每个失效模式的失效概率。
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本发明涉及基于多失效模式的秸秆揉碎机锤片式转子可靠性分析方法，包括：基于应力‑强度干涉模型分别构建锤片式转子疲劳断裂失效模式的功能函数、锤片磨损失效模式的功能函数、锤片式转子共振失效模式的功能函数；通过锤片式转子疲劳断裂失效模式的功能函数、锤片磨损失效模式的功能函数、锤片式转子共振失效模式的功能函数，确定其各自的边缘分布函数，进而计算多失效模式下秸秆揉碎机锤片式转子的可靠度，并进行多目标优化设计，得到最优解。本发明为秸秆揉碎机及相似机械的可靠性设计与后期维修策略的制定提供方法指导。
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一种钠冷快堆堆芯解体事故堆容器失效分析方法，步骤如下：1、采用欧拉方法对气‑液两相冷却剂建立质量守恒方程、动量守恒方程和能量守恒方程，采用拉格朗日方法对堆芯熔融物建立动量守恒方程和能量守恒方程；2、针对钠冷快堆堆芯建立流体计算区域和固体计算区域；3、步骤2中的固体计算区域和流体计算区域的接触面为耦合面；4、计算时根据步骤2中流体计算区域和固体计算区域初始时刻t0的参数，传递耦合面的参数，迭代计算得到流体计算区域下一时刻t1的状态参数，直到最后时刻，得到固体计算区域中堆容器的应力应变曲线。本发明的方法能综合评估钠冷快堆堆芯解体事故后，堆容器的失效情况，更加全面、有效地评估反应堆的安全性提供依据。
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本发明提供了一种系统失效分析方法，基于系统的多个安全目标，获取与第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子，其中I为自然数。获取第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于第一阈值的元件的元件失效模式集合。重复上述步骤直至获取系统的每一个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于与其对应的阈值的元件的元件失效模式集合。对所有安全目标对应的元件失效模式集合求并集以获得系统的元件失效模式集合。本发明技术方案可以较准确的确定系统中对安全目标影响最为显著的元件及其高危的元件失效模式。
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本实用新型的用于失效分析的封装基板包括：基板、设置在所述基板上的凹口、以及设置在所述基板上的至少两个导线圈，所述导线圈由内向外依次环绕在所述凹口外。本实用新型的用于失效分析的封装基板，电路结构简单，使用方便。
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本发明提供了一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，涉及半导体结构失效分析技术领域，半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：提供承载基板，将多个半导体结构固定连接在所述承载基板的上表面，且半导体结构的覆盖层位于主体的上方；对承载基板上的半导体结构的衬底进行离子注入，然后对离子注入后的衬底进行加热；去除破裂残渣；对剩余在主体上的衬底进行研磨，以去除衬底。本方案可以同时对多个半导体结构进行集中处理，离子注入与加热操作配合，使衬底开裂，达到去除衬底的绝大部分的效果，减少了对半导体结构的机械研磨时间，能够提高获取的主体的良品率。
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一种电子产品失效率分析系统及方法,该系统包括:料号编码模块,用于根据电子产品资料产生该电子产品各个零件的料号编码规则,根据该料号编码规则制作电子产品资料的BOM表;零件分类模块,用于从产品BOM表中读取零件料号,根据料号编码规则对零件料号进行分类编码,及整理零件类型并计算各种零件类型的零件数量;失效率计算模块,用于依据各零件类型的参数公式计算各类型零件的单一失效率,及将各类型零件的单一失效率相加总计算电子产品的总失效率;报告产生模块,用于根据电子产品的总失效率产生电子产品寿命的预估报告。实施本发明,能够快速对BOM表内大量的零件料号进行分类,达到准确地计算产品失效率之目的。
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本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。
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本实用新型公开了一种用于芯片失效性分析的分离装置，包括支撑基板、刀片、用于带动刀片升降的升降调节器和芯片支撑架，所述芯片支撑架与支撑基板固定，芯片支撑架上设有至少一个用于放置芯片的芯片槽，刀片固定在升降调节器上，刀片的刃口朝向芯片槽，所述升降调节器与支撑基板滑动连接，以使升降调节器远离或靠近芯片槽。本实用新型提供了一种用于芯片失效性分析的分离装置，可以对芯片本体和基板进行快速分离，且操作简单方便，操作过程安全可靠。
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本实用新型的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。
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本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法，其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品，再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品，即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足，无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位，并制造出TEM样品的技术问题。
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本申请实施例提供了一种深水钻井隔水管失效分析方法及装置。其中，所述方法包括：获取所述隔水管中每个单元的单元强度概率密度函数、所述隔水管中每个单元所受载荷以及所述每个单元所受载荷的概率密度函数；根据所述每个单元的单元强度概率密度函数，得到该单元正常工作的概率；根据各个单元所受载荷的概率密度函数和各个单元正常工作的概率，得到所述隔水管的失效概率计算公式；根据所述隔水管中每个单元所受载荷和所述失效概率计算公式，得到所述隔水管的失效概率；判断所述失效概率是否大于预设失效概率，若判断结果为是，则发出预警信号。本申请实施例所提的技术方案具有简单实用的优点。
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本发明公开了一种适用于硅胶封装的电子元件的失效分析的硅橡胶溶剂，主要包含如下质量分数的成分：40％至90％的C3～C6的乙二醇醚或C4～C7的丙二醇醚或乙二醇苯醚或丙二醇苯醚或上述醇醚化合物的一种至多种的混合物，按重量计5％至45％的N-甲基吡咯烷酮或N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺或上述酰胺化合物的一种至多种的混合物，1％～15％的氢氧化钾或氢氧化钠或上述其二者的混合物。本发明制备的溶剂具有腐蚀性低、选择性高、毒性低的优点，能够完全溶解固化的发光二极管封装硅橡胶，十分适用于硅胶封装的发光二极管的失效分析。
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本发明提供了一种采用打线工艺封装的芯片的开封方法、应用和失效分析方法，涉及半导体技术领域，具体包括：先对封装芯片样品进行晶粒定位，并对晶粒对应的位置进行封装体减薄，然后通过预设配比的配置酸去除减薄后的所述封装芯片样品表面的环氧树脂，然后对晶粒进行表面清洗并晾干。这样，采用激光减薄封装体和的配置酸对采用打线工艺封装的芯片进行开封，通过一种配置酸即可开封目前市场上常见封装芯片样品，避免了因判断打线材质失误导致打线被腐蚀的问题，为后续有源区的失效分析提供了前提条件。
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本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法，包括以下步骤：分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号，直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常；获取失效的所述神经电极，并截取所述神经电极的尖端有效部位，用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位，并进行EDS元素分析；建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
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本发明属于功能安全技术领域，具体涉及一种基于Excel的失效模式影响诊断分析工具及方法，包括建于Excel中的运行工况模块、数据库模块、物料清单模块、安全机制模块、FMEDA永久性故障模块、FMEDA瞬态故障模块和报告模块；本发明通过在Excel中建立失效模式影响诊断分析工具，取缔了基于功能安全而全面开发的软件，稳定性高且对运行环境要求低。
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本发明提供了一种失效分析无缓冲图像采集的方法，预设目标拍摄区域，将该目标拍摄区域划分成多个连续但不重叠的长方形子区域，所述子区域的长和宽与每张照片能拍摄到的长和宽一致；移动样品至第一个拍照子区域，打开电子束对该区域进行扫描，收集二次电子或背散射电子等物理信号并形成图像；关停电子束，将样品移动至下一个拍照子区域；重复此过程，直至扫描收集完全部子区域的图像。本发明还提供了一种可以执行上述方法的失效分析无缓冲图像采集系统。
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本发明涉及一种基于CML的智能变电站设备网络结点连锁失效风险分析方法，属于信息安全领域。通过对智能变电站设备节点以及节点间的设备连接建立网络，来评估不同设备节点在发生故障时对智能变电站整体设备网络的影响，从而对智能变电站信息安全风险进行有效分析。基于该模型的智能变电站信息安全风险分析管理子系统可以协助管理者对智能变电站的信息安全风险数据进行管理并实现数据可视化，为智能变电站系统的网络安全评估提供准确的基础数据支撑。
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本发明提供一种基于首层失效的复合材料层合板可靠性分析方法，首先根据复合材料层合板的结构特征及材料属性，确定层合板中的随机变量，并对各随机变量进行均匀离散化；然后分别构造载荷、纵向/横向拉伸强度和剪切强度发生函数，通过定义发生函数的复合算子和相应的性能结构函数，结合单层板的Tsai‑Hill强度理论，建立各单层板(失效元)的抗力发生函数；最后根据首层失效准则，建立结构系统的抗力发生函数，通过定义δ算子，求解层合板的可靠度。本发明在发生函数复合运算的过程中，引入同类项合并和K‑means聚类技术提高了运算效率，适用于存在多变量和非线性功能函数的结构系统可靠性评估。
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