设备介绍
此款CVD气相沉积系统的工作温度为≤1100℃，配备
真空泵，气体混合装置。采用了温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。该CVD管式炉适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
产品优势
发热元件采用优良电阻丝，炉膛采用陶瓷纤维材料，保温性能好，经久耐用，抗拉强度高，无杂志，纯度高，节能效果明显
双层外壳结构 配备冷风系统
双层钢制外壳，带双冷却风扇，炉壳温度始终保持在安全范围内，上开启打开炉门，操作方便
PID智能温控系统
内置PID自动调节功能，具有过热和断开热电偶断开保护; 超温保护和报警
技术参数
设备名称 CVD管式炉
设备型号 KJ-TCVD1200-S50CK1
最高温度 1200 ℃
工作温度 ≤1100℃
显示 触摸屏
炉管尺寸 外径50mm，总长度600m(其他尺寸可按需求定制)
管材 石英
热区长度 200mm(单温区)
(其他尺寸可按需求定制)
加热元件 电阻丝
加热速率 0-10℃/min
温度控制
● 30个可编程段，用于控制加热速率、冷却速率和停留时间。
● 内置PID自动调节功能，具有过热和热电偶损坏保护功能。
● 超温保护和报警
热电偶
N型
温控精度 ±1℃
炉体材质 炉体整体304不锈钢，下箱碳钢
炉膛结构
双层钢制外壳，带双冷却风扇
真空法兰 不锈钢密封水冷法兰
供气系统
1通道质子流量计： 气路：一路氮气
流量控制：触屏控制(选配)
真空泵+真空计系统
真空泵+真空计 旋片泵，极限真空度达到10Pa(冷却状态)
压力表 机械压力表
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