HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉(采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉)，其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体(带有水冷夹层)，真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技术参数：
腔体：
采用304不锈钢腔体，带有水冷夹层，可通入冷却水
腔体上安装有石英窗口，以便观察样品
腔体真空度：10-5Torr(采用分子泵)
腔体尺寸：∅257*360mm;
电弧枪：
共有4个电弧枪，可让样品得到均匀的温场(电弧枪都带有冷却水)
钨电极直径∅4mm
电弧腔体对样品的角度和距离可手动调节
起弧电源：17V/185A 电压380V
熔炼温度可达3000℃
样品台：
可投入样品量为60g(按铁计算)
提拉机构：
控制器控制提拉机构的提拉速度，行程和转速
提拉速度：0.2-10mm/h
提拉行程：0-70mm
转速：0-40RPM
控制单元：
可显示和设置单晶生长的参数(起弧电流，提拉杆转速，提拉行程和转速)
设备中配有一分子泵系统(机械泵+涡旋分子泵)
抽气速率：100L/S
可使设备腔体的真空度达到10-5Torr(40分钟内)
循环水冷机：
功率：800W
水流速度：58L/min
制冷能力：5004W(17500Btu/hour)
温度控制：5～30℃
设备尺寸：
800mm*800mm*1500mm(L*W*H)
多晶材料在一个旋转的、冷却的铜炉中被四个电弧熔化。将一根冷冻的钨拉杆浸入热熔液中。在旋转过程中，拉杆缓慢抬起，使晶体生长。为了防止熔体和晶体氧化，整个过程在无氧和无湿的气氛中进行。可用于生长各种单晶体，包括硅、蓝宝石、氮化硅、
碳化硅等，它可以生长高纯度、高质量和大尺寸的单晶体。
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