高真空脉冲激光沉积系统 PLD
高真空脉冲激光沉积系统（PLD）是冶金和材料科学领域中一种先进的薄膜沉积技术。它通过使用高能脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜，特别适用于制备复杂氧化物、陶瓷和
半导体材料等。PLD技术的独特之处在于能量源（脉冲激光）位于真空室外部，这使得在材料合成时，工作压力的动态范围非常宽，能够达到10^-8Pa至1Pa，从而为合成具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒提供了可能。
一、 设备主要功能及组成
1. 脉冲激光沉积（PLD）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-8Pa ~ 1Pa。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD是一种“数字”技术，在纳米尺度上进行工艺控制（A°/pulse）
2. 设备主要由高真空获得与测量系统、样品台、激光靶系统、激光偏转扫描系统、辅助沉积系统及电气控制系统等六部分组成。
3. 高真空机组采用分子泵机组或离子泵机组。
4. 样品台可在线伸缩，旋转，衬底加热。
5. 激光靶四靶位，可公转换位，可自转，转速可调。
6. 辅助沉积系统可选配辉光清洗靶、负离子发生器、霍尔离子源、磁控溅射靶等。
7. 入射窗前端配置激光XY扫描系统，可将入射激光偏转，以均匀扫描靶面。
8. 可选配膜厚控制仪，进行在线测量和监控。
9. 电气控制系统具有多种报警功能，能及时提示故障情况，保障设备安全运行。
二、 主要技术参数
1． 真空室尺寸：Ø450（定制）（球形或圆筒形真空室）
2． 极限真空度：≤6.7×10-5Pa / ≤5.0×10-6Pa
3． 漏率：≤10-7 Pa•L/s
4． 样品台：可在线升降（靶基距可调）、旋转、衬底加热
5． 可选配辅助沉积系统：辉光清洗靶、负离子发生器、霍尔离子源、磁控溅射靶等
6． 可选配工艺系统：手套箱工作站、样品预处理室、自动样品库等
7． 供电电源：380V 50Hz（三相五线制）
8． 进水排管径：DN25
9． 工作水压：0.2Mpa
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