本发明涉及自旋电子学材料领域，具体涉及一种磁性
半导体材料及其制备方法；其化学式为AB1‑yCyX3，其中y=0‑0.1，A为Ca、Sr和Ba中的一种，B为Ti、Zr和Hf中的一种，X为S或Se，C为Mn、Fe和Co中的一种；由于硫族
钙钛矿具有与氧化物钙钛矿相似的化学式和结构，当氧化物钙钛矿中的氧离子被硫族(S,Se)离子替代后它们的结构会发生畸变，由此引起电子结构的显著变化，相应地其带隙宽度与光电性质也会随之改变。并用具有局域磁矩的3d过渡族金属C(Mn、Fe、Co)取代B位阳离子，材料可表现出长程磁有序。因此，采用本发明设计并制备的硫族磁性半导体材料极大地丰富磁性半导体材料的可选择性，从而为设计新型的高居里点自旋电子学材料和器件提供可能。
声明：
“磁性半导体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
842
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
