本发明公开了一种
钴酸锶薄膜材料的制备方法，对钴酸锶薄膜材料的磁、电性能进行研究。首先采用球磨法制备钴酸锶粉末样品，然后将该粉末样品干燥并制成块状靶材，最后用脉冲激光沉积法将块状靶材沉积在衬底上并退火，得到钴酸锶薄膜材料。本发明采用球磨法制得的钴酸锶粉末混合比较均匀、粒径均匀度高，球磨法具有操作简单、条件温和、易控制等特点；用脉冲激光沉积法沉积的钴酸锶薄膜，具有质量好、均匀性高和材料组分稳定等特点，同时采用晶格常数相近及同为
钙钛矿结构的衬底上制得的钴酸锶薄膜结构更加稳定，而且在钴酸锶薄膜样品观测到其金属‑半导体转变过程。
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来源：北方有色网
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