本发明提供了刻蚀控制方法以及半导体制造工艺控制方法。根据本发明的刻蚀控制方法包括：在发生传送模块气压偏移时发出传送模块气压警告；利用设备自动化系统实时检查传送模块气压警告记录，确定是否有传送模块气压警告；在存在传送模块气压警告的情况下，设备自动化系统立刻给机台发出停止运行的命令，蚀刻机台收到命令后，蚀刻设备自动停止装货卸货腔运行工艺流程，并且使有缺陷的晶圆停止反应；继续处理有缺陷的晶圆。通过采用本发明的技术方案，与现有技术相比，能够在传送模块气压偏移发生时尽量避免晶圆报废以及器件失效。
声明：
“刻蚀控制方法以及半导体制造工艺控制方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1287
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
