本发明提供一种分栅式闪存器件制造方法，在所述浮栅氮化硅层的沟槽以及所述浮栅氮化硅层表面沉积一定厚度的源线
多晶硅层后，对所述源线多晶硅层的顶部平坦化工艺或者回刻蚀工艺进行终点监测，以获得所述源线多晶硅层的在所述沟槽顶部的宽度或者所述第一侧墙的损耗高度，并在去除浮栅氮化硅以后，根据所述监测的结果，对暴露出的第一侧墙的侧壁进行相应的侧向回刻蚀，以暴露出合适区域的浮栅多晶硅层，从而保证后续刻蚀暴露出的浮栅多晶硅层后，能够获得具有合适的高度和顶角角度的浮栅尖端，最终可以避免分栅式闪存器件的数据擦除失效和编程失效问题。
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来源：北方有色网
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