一种比较半导体器件的静电放电性能的方法,包括:收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压;对各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计;基于概率分布,获得各组半导体器件的外推最低电压;若半导体器件的外推最低电压与所述失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围,则以所述最低值作为待比较值;否则,以所述外推最低电压作为待比较值;比较各组半导体器件;具有较大待比较值,且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。否则,两组半导体器件的静电放电性能相近。所述比较半导体器件的静电放电性能的方法,其准确性较高。
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来源：北方有色网
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