本发明公开了一种下层金属布线的安全精确切割方法，包括以下步骤：步骤一、按以下流程用聚焦离子束技术，实现下层金属线切割：刻蚀时，IEE针进入反应腔，但针的阀门不打开，以离子束在每个像素上的停留时间1微秒，面积重叠比例50%的条件进行刻蚀，最外刻蚀框大小为10微米×10微米以上，每一次新刻蚀框都要求比上级框尺寸小10%以上，且不包含上级刻蚀框暴露的金属线，以及距暴露金属线1微米以上位置，刻蚀终点为下一层金属线暴露，暴露出待切割金属线；步骤二、切割金属线，刻蚀时间在20秒-50秒，并切断金属线；步骤三、最后用500pA-1000pA间的束流，对全部刻蚀框用增强刻蚀模式进行清理。本发明提高
芯片的线路修复效率和成功率，大大加快芯片设计初期的调试进程和失效分析的速度，加快产品的上市速度及找到提高芯片量产的良品率。
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来源：北方有色网
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