本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：存储区域，包括至少一个块存储区；标识结构，包括至少一个标识；所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。本发明能够快速定位到目标地址，大大提高了工作效率和定位成功率，减少了失效分析的成本。
声明：
“三维存储器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1105
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
