本发明提出一种平面TEM样品的制备方法，包含制备样品，使样品的断面的截面到达目标区域附近，切割样品到露出Poly层，湿法腐蚀，去除Poly，制备第一切割面，切割样品，在衬底内部制备第二切割面，最后完成平面TEM样品。本发明为制备观测多晶Poly下方的栅氧化层缺陷和硅衬底位错的TEM分析提出了一种基于现有技术的新方法，通过腐蚀Poly即可以去除Poly晶格对TEM观测的影响，又可以利用腐蚀剂对衬底的腐蚀准确定位栅氧化层中的缺陷。采用本发明方法能提高该类失效分析的质量和成功率。
声明：
“平面TEM样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
792
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
