本发明提供一种MRAM
芯片，包括一个或多个区域，区域包括多个存储阵列与一个备份阵列，备份阵列中的存储单元行用于替换MRAM芯片中包括失效或损坏的存储单元的存储单元字,存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过设置备份阵列，使用备份阵列中的存储单元行替换存储阵列与备份阵列中包括损坏的存储单元的存储单元字，存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目，从而更有效利用备份阵列中的存储单元，延长MRAM芯片的使用寿命。
声明：
“MRAM芯片及其自测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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