本申请实施例提供一种半导体器件的耐量测试装置及方法，通过电流冲击单元按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号，并通过测试单元测试待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态后，由主控单元根据待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态生成待测半导体器件的电流上升率耐量值。如此，能够将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例。
声明：
“半导体器件的耐量测试装置及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
918
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
