本发明设计半导体制造领域，尤其涉及一种金属电迁移测试结构。测试结构分为电迁移被测结构、电迁移阻挡结构、测试端口和探测端口。电迁移被测结构与电迁移阻挡结构相连，位于测试端口之间。测试结构具有三个探测端口，其中两个探测端口用来精确的确定电迁移被测结构是否失效，另一个探测端口用来探测精确的电迁移被测结构的温度，从而提升测试的准确度。
声明：
“金属电迁移测试结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
954
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
