本发明提供一种测试不良
芯片晶元坐标分布的方法，包括以下步骤：S1：根据作业历史获得所有良品单元的芯片ID；S2：将所有芯片ID按照晶元ID进行筛选；S3：导入单张晶元的所有芯片ID根据Excel公式＝Count A_A自动绘制坐标图；S4：将绘制的坐标图与系统实际的坐标图进行比对；S5：两者相差的坐标，获得需要的不良芯片的坐标。本发明方法简单，操作便利，可以通过推导出来的芯片ID进行失效原因分析。
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“测试不良芯片晶元坐标分布的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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