本发明属于
半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法。其在抛光基底上沉积图形化的绝缘层，之后在图形化区域内填充热电阻电极、热电阻、测试电极及引线，电极和引线图形根据Seebeck系数测试要求设计，当测试半导体薄膜Seebeck系数时，被测薄膜沉积在有效区域内，覆盖在引线之上，在两个热电阻电极上连接一大电流电源，热电阻温度由电源电流大小控制，待热电阻温度恒定，探测测温点之间温度差，并采集各个测试电极间的电位差，从而获得材料的Seebeck系数。采用本发明测试Seebeck系数时，既不会由于高温而导致引线失效，也不会使探针与被测薄膜直接接触造成样品损坏，从而推进薄膜Seebeck系数测试设备的商业化应用。
声明：
“用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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