本实用新型提供一种半导体测试结构，包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。本实用新型的半导体测试结构可实现热点的精确定位，提高失效分析的成功率，缩短失效分析的时间。
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来源：北方有色网
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