本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法，属于
半导体技术领域，所述介质层可靠性测试结构包括：衬底，其上设置多个有源区；至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；
多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上，且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域；以及辅助多晶硅结构，设置在所述衬底上，且环绕所述多晶硅层设置。通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法，可提高失效分析的准确率和效率。
声明：
“介质层可靠性测试结构及测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
831
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
