本发明提供了一种晶圆缺陷的监控方法，应用于半导体领域中。其首先根据每种半导体工艺的不同特点建立与不同半导体工艺相对应的可能出现在晶圆上的缺陷特征，且该缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系的数据库，之后，当不同批次lot晶圆在原始缺陷扫描中出现缺陷时，就可以通过该缺陷自动启动本发明提供的缺陷加扫机制，已对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描，而无需像现有技术那样在发现了不同批次lot晶圆在初始缺陷扫描中出现缺陷问题后，需要人工手动Run card进站进行缺陷监控，进而避免了现有技术中人为因素多、监控效率较低、以及存在一定监控失效概率的问题，也就实现了提高晶圆的监控效率的目的。
声明：
“晶圆缺陷的检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
862
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
